Aluminium IGBT Aluminium

Motor moderatoris Transistor Bipolar Portae Insulae (Ges Transistor Insulae Bipolar, IGBT) caloris dissipationis perficiendi magis magisque motor factus IGBT nunc ingrediens mercatum electronicarum potentiae industrialis, ut (welding) calor mergitur, tractus invertor, coegi motor, etc.Ruiqifengpraebet IGBT calor concisus fructus conventus qui patitur IGBT laborare in altiori clausura temperatura, dum confluentes temperaturas conservantes intra tutos fines, iungendo inmissa scelerisque resistentia cum Vce(on) Pii.

IGBT in pluribus operatur cum magna arte virtutis, alta potentia significat altiorem calorem dissipationis, IGBT est versus capacitatem magnam, frequentiam altam, facile depellere, demissam iacturam modulari, directionem evolutionis designat, cum aliis electronicis artibus comparata; IGBT calor submersa altam fiduciam habet, simplex coegi, facile ad tuendum, nullum quiddam circuitionis et frequentia mutans altum est, ita IGBT calor deprimitur in foro electronico valde necessarium.Ad has spectaculas altas assequendas, plures processus in circuitibus integris adhibentur, ut epitaxy, ion implantatio, lithographia denique, etc. His annis, exercitatio virtutis IGBT caloris moduli lapsus celerius emendatus est, vena aestimata habet. centum amperes pervenit, intentione resistendi plus quam 1500V, et adhuc melius est.Cum IGBT cogitationes positivas notas PIN diodae habeant, characteres IGBT caloris moduli p-canali deprimentes non multum differunt ab IGBT rivuli n-venali, quod multum confert ad structuram complementariam in applicatione adhibitam, ita dilatando. eius applicatio in campo ac ac digitali potestate technicae artis.Maxima utilitas IGBT est quod incursus currentis vel in ambitu vel brevi statu sustinere potest.Connexio parallela non est quaestio eiusque series connexio facilis est propter brevem shutdown moram.

IGBT caloris translatio modos plerumque includit refrigerationem aeris, aquae refrigerationem, calor aeris submersa vel aluminium calor submersa.Calor dissipationis ejus in fundamento translationis caloris innititur, calor fluit iter cum resistentia ima thermarum ad fabricam disposito ut calor emissus a fabrica quam primum emitti possit, ita ut internus curet ut internus. coniunctas semper temperatura fabrica licita est in commissura temperatura custodiri.

In praesenti, caloris fistulae IGBT existentis in foro caloris deprimitur maxime includat calorem dissipationis pinnae, fistulam caloris et subiectam, super qua substratum pluribus striatis parallelis praeditum est, et postea sulcus cum solida ad sectionem evanescentem redacta est. ardorem fistula.In existente IGBT caloris fistula technologiae calor submersa est, evaporans sectio fistulae caloris in sulco subiectae sepulta est et superficiei IGBT directe non convenit.In processu operante, calor ex superficie IGBT primum per subiectam exportatur et deinde ad fistulam caloris et caloris descendendum transfertur.Denique calor a submersa calore transfertur in aerem per convectum.Quia subiectum ipsum scelerisque resistentiam habet, et scelerisque conductivity coefficiens caloris fistula multo altior quam basis, scelerisque conductivity efficientia caloris fistulae calor submersa limitatur, et calor dissipatio effectus reducitur.IGBT calor submersa potest transferre calorem aequaliter a subiecto ad pinnam, qui potest solvere problema dissipationis caloris efficaciter altae caloris fluxum, non solum cum efficientia alta, sed etiam cum structura compacta et nullas partes movens, quae vere sustentationem cognosci possunt. Liber.